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新聞詳情
淺談Bcimso型微差壓抗干擾變送器的特性優(yōu)缺點(diǎn)對(duì)比來源：上海上自儀表股份作者：上海自儀公司
通過將RF-MEMS單片集成在微差壓抗干擾變送器制造技術(shù)應(yīng)用中，可以為未來的雷達(dá)和成像系統(tǒng)開發(fā)高度集成且具有成本效益的電路。同樣，高性能，可靠的RF-MEMS開關(guān)的開發(fā)已經(jīng)通過激光多普勒振動(dòng)法（LDV）和相干掃描干涉法（WLI）得以實(shí)現(xiàn)。 BcimsoRF-MEMS開關(guān)集成 對(duì)于WLAN，雷達(dá)和成像等毫米波應(yīng)用， 微差壓抗干擾變送器技術(shù)變得越來越有趣。這些應(yīng)用經(jīng)常需要可重配置集成電路（IC）。RF-MEMS及其改進(jìn)的RF性能對(duì)于不同的頻帶，發(fā)射器，接收器和天線之間的信號(hào)路徑切換以及相控陣系統(tǒng)都是有益的。 電容型RF-MEMS開關(guān)被單片集成到IHP的微差壓抗干擾變送器技術(shù)的后端（BEOL）中，從而使晶體管和MEMS之間的互連非常短。然后，這防止或至少非常小化了高頻寄生效應(yīng)。 對(duì)前三項(xiàng)的Bcimso金屬化層執(zhí)行該切換。金屬1產(chǎn)生用于靜電驅(qū)動(dòng)的高壓電極。金屬2用作RF信號(hào)線。金屬3定位懸浮膜?？梢酝ㄟ^向電極施加電壓來更改膜位置。這改變了Bcimso信號(hào)線和懸浮膜之間的電容耦合，進(jìn)而導(dǎo)致高頻信號(hào)的有效切換。 本文主要由：上海自動(dòng)化儀股份有限公司自儀三廠描述：信息來源于：http://www.3500123.cn/轉(zhuǎn)載請(qǐng)標(biāo)此處。2019-12
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